比特币与半导体的联系 - 币圈消息

比特币跟区块链的关系1、需求端：。制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相应器件。
2、2IGBT下游应用广泛，全球空间超400亿元。
3、尽管1990sSiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及。
4、3晶圆制造：背板减薄、激光退火、离子注入是难点。
5、从8寸到12寸有两个关键门槛：。
6、特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm，对于要求较高的器件，甚至需要减薄到6080μm!
7、我国已成功跻身世界上少有的具备三代材料全产业链布局的国家，实现从小批量研发向规模化、商业化生产的成功跨越，在关键的SiC衬底领域主要有天科合达、山东天岳等占据一定份额。
8、背面高能离子注入，容易导致裂片，对设备和工艺要求更高。
9、设计升级方面主要是：。3功率半导体的技术演进路径。
10、9竞争格局：车规IGBT领域，斯达、比亚迪等率先突围。

比特币怎么联系1、1SiC具有性能优势：降低损耗、小型化、耐高温高压。
2、采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接!
3、5电动车：电控、OBC、DC-DC等多部位可升级为SiC。
4、直接成本增加：在逆变器中用SiCMOS替换IGBT，会增加约1200美金的器件成本!
5、纲领目标：2012年、2015年工信部分别制定了集成电路产业“十二五”、“十三五”规划；目前第三代半导体产业已被纳入“十四五”规划，目标“换道超车”。
6、IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件，客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
7、SiC二极管：应用相对容易，和Si基产品价格差在35倍。在比特币的蚂蚁挖矿机的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、PV、充电桩中已有不少应用!
8、其他成本降低：SiC可使控制器效率提升2%8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池成本节约1500元!
9、8产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位。
10、10汽车芯片缺货背景下，IGBT迎来国产替代加速机遇。
李圣明与比特币1、Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产!
2、1从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化。
3、由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低。逆变器体积减小，降低其他材料成本!
4、7产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%。
5、主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
6、5电动车IGBT市场空间测算：未来5年CAGR达3040%。
7、特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiCMOSFET，拉动庞大需求。
8、IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT和MOSFET的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道；。
9、在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高!
10、采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性!
比特币区块链有什么用1、衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500°C，高温下的热场控制和均匀度控制难度极高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢，进而导致衬底的制备困难且高成本，衬底和外延占器件总价值的70%。
2、2功率器件是电能转换与电路控制的核心。
3、衬底尺寸提升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
4、目前SiC功率器件主要定位于功率在1kw-500kw之间、工作频率在10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用!
5、驱动力包括：。9本土厂商加速布局，国内初具完整产业链条。
6、IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT属于壁垒较高的细分赛道!
7、8自主可控需求驱动，国内IGBT产业加速追赶。
8、IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛!
9、通过使用球形键合来提升散热性能。
10、通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；通过使用陶瓷散热片来增加散热性能；。
比特币属于区块链吗1、低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiCMOSFET。
2、IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
3、SiCMOSFET：应用相对较难，和Si基产品价格差在68倍，在PV逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
4、IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏，属于功率器件领域门槛相对较高的赛道!
5、材料升级方面主要是：。3行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期。
6、IGBT芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高。
7、6电动车：SiC优点在于可降低综合成本。
8、具体来说，背面工艺是在基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退火技术来精确控制硅片面的能量密度!
9、当硅片厚度减到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎和翘曲!
10、1IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道。
比特币怎么交易1、2芯片设计：应用端迭代慢于研发端。
2、4模块封装：散热和可靠性是关键。
3、7竞争格局：英飞凌及日厂领先，国内斯达位居第一。
4、设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度!
5、6IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道。
6、4电动车电控IGBT模块IGBT晶圆的价值量分布。
7、10第三代半导体被纳入纳入“十四五”规划。
8、4全球功率半导体需求超400亿$，汽车是成长最快的下游。
9、芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重。
10、5模块封装：散热和可靠性是关键。
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